既然知道需要什么了，肖宿立马着手，把之前谱域对消框架里的图拉普拉斯谱分解做了扩展。

在原来的框架里，图上的节点是同一类物理实体，比如超表面上的纳米天线，或者物镜里的一片片透镜。

但在新框架里，图的节点可以来自完全不同的物理子系统，光源的激光器是一个节点，物镜的镜片是一个节点，工件台的驱动电机也是一个节点，它们之间的耦合关系用不同物理量的交叉传递函数来描述。

这个异构图的拉普拉斯矩阵一旦做谱分解，整个光刻系统的全局优化就变成了在模式空间里找一个联合极小值。

但是光有优化框架还不够。

即便把三个子系统的协同做到了极致，193纳米浸没式光刻的物理极限还是在那儿摆着，38纳米的分辨率极限不会因为优化做得好就自动突破。

要真正实现质的飞跃，必须把工作波长缩短。

euv是现成的短波长方案，但euv光源的效率问题一直是死结。

肖宿翻了翻高长安那份材料里关于euv光源的章节，又搜了几篇近两年发表在光学顶刊上的锡等离子体光源效率分析论文，越看越觉得这条路的方向本身就选得不太对。

锡等离子体产生极紫外光的能量转化效率只有个位数百分比，大部分泵浦能量全变成了热，要维持稳定的光输出就需要庞大的冷却系统和超高功率的驱动激光器，整套光源系统复杂到堪比一座小型电站。

他放下手里的论文，拿起笔在草稿纸上画了一个新的拓扑。

有没有可能不依赖锡等离子体，也不依赖传统的193纳米深紫外激光器，而是走另一条路呢？

比如，用一个短波长自由电子激光器阵列做光源，用多个独立可控的激光束从不同角度同时照射掩模，再通过一个实时的波前协同控制系统把多束光在晶圆面上合成一个单一的、相位精确对齐的曝光光斑。